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    晶圓凸塊

    晶圓凸塊技術可在半導體封裝中提供顯著的性能、外形尺寸和綜合成本優勢。長電科技在晶圓凸塊的眾多合金材料和工藝與質量方面擁有豐富的經驗,包括采用共晶、無鉛和銅柱合金的印刷凸塊、錫球或電鍍技術。目前的晶圓凸塊產品包括200mm 300mm 晶圓尺寸的晶圓直接凸塊、重布線凸塊和扇出型凸塊,以提供完整的一站式先進倒裝芯片封裝和晶圓級封裝解決方案。

    • 倒裝芯片封裝

      在倒裝芯片封裝中,硅片使用焊接凸塊而非焊線直接固定在基材上,從而提供密集的互連,具有更高的帶寬和更快的數據速率,并提高了電氣性能和散熱性能。焊接凸塊和/或銅柱凸塊以網格陣列模式放置在器件的有效面,可以直接放置在 I/O 焊盤上,也可以從這些焊盤上布線。只有當凸塊正好在它們所連接的電子單元上(I/O 接點凸塊)時,倒裝芯片技術才能實現最有效的實現。倒裝芯片工藝在凸塊周圍的開放空間內或芯片表面和電路板之間的間隙內,使用毛細底部填充材料 (CUF) 或模塑底部填充材料 (MUF),以產生高度可靠和穩定的結構。在消費、網絡、計算、移動和汽車市場上,倒裝芯片互連是一系列應用中的關鍵技術。

    • 晶圓級封裝

      晶圓級封裝 (WLP) 可在小、輕、薄的器件中提供更高的性能、功能和速度。晶圓級封裝類似于倒裝芯片封裝:它們都利用晶圓凸塊來與電路板互連。倒裝芯片互連通常使用較小的焊接凸塊,晶圓級封裝則使用較大的焊接凸塊,且無填充材料。很多晶圓級封裝采用再鈍化層作為凸塊下方電路的應力緩沖層?;谛詢r比,在優化晶圓級封裝設計方面,有很多的可變因素。晶圓級封裝是一種既適用于移動和手持設備等成熟市場,也適用于物聯網 (IoT)、可穿戴設備和汽車電子等新興市場的成功解決方案。

    再鈍化和再分布層 (RDL)

    • 當凸塊所在位置需要額外的芯片保護或結構支撐時,可在晶圓上涂抹一層聚合物和金屬。這個過程被稱為再鈍化 (RPV),因為通過增加聚合物層,可以在芯片表面上產生第二個鈍化層。當最終的金屬鍵合墊小于焊球直徑或位于凸塊下金屬層 (UBM) 結構下方時,也會使用再鈍化。增加的介電材料層可作為應力緩沖層、平面化介質和最終鈍化層,用于為凸塊下方的電路提供緩沖。

    • 在器件可能既要在可引線接合外設焊盤方案中使用,也要作為倒裝芯片和晶圓級元器件工作的情況下,可采用額外的橫向連接層,將輸入/輸出 (I/O) 布局重新連接到全新的基底面。 這種額外的層稱為再分布層 (RDL),可以由薄層的鋁 (Al) 、銅 (Cu) 制造,或者結合使用鋁和銅 (AlCu) 制造。再鈍化和再分布層是先進的扇出式晶圓級技術的關鍵支持技術,先進扇出式晶圓級技術包括嵌入式晶圓級球柵陣列 (eWLB)、扇入式晶圓級芯片規模封裝 (WLCSP)、集成無源器件 (IPD) 和系統級封裝 (SiP) 解決方案。

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